SK　MOS内蔵

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MOS内蔵

◆ PWM(Pluse Width Modulation)方式 ◆

■非絶縁　降圧/昇降圧タイプ

部品点数が少なく、小型家電や補助電源に適しています。

●STR5A400シリーズ

•軽負荷時高効率（グリーンモード搭載）
•小型化対応（過電流検出抵抗、エラーアンプ内蔵）
•1チップ構造（センスMOSFET内蔵）
•保護機能
　過電流保護（OCP）：パルス・バイ・パルス
　過電圧保護（OVP）、過熱保護（TSD）：自動復帰

製　品　名	発振周波数 （kHz）	VD/ST（max.） （V）	RDS（ON）（max.） （Ω）	IDLIM（H） （A）	パッケージ	外形図 No.	お問い合わせ
STR5A464D	60	700	13.6	0.41	DIP8	5	ask

■絶縁 1次側検出　フライバックタイプ

1次側検出により部品点数が少なく、小型家電や小電力アダプタなどに適しています。

●STR5A100Dシリーズ

•小型化対応（過電流検出抵抗内蔵）
•1チップ構造（センスMOSFET内蔵）
•保護機能 　
過電流保護（OCP）：パルス・バイ・パルス 　
過電圧保護（OVP）、過熱保護（TSD）：自動復帰

製 品 名	fOSC （kHz）	MOSFET		IDLIM（H） （A）	Pout （アダプタ）		Pout （オープンフレーム）		パッケージ	外形図 No.	お問い合わせ
		VD/ST （max.） （V）	RDS（ON）（max.） （Ω）		AC230V （W）	ユニバーサル （W）	AC230V （W）	ユニバーサル （W）
STR5A162D	65	730	24.6	0.3	4.0	3.5	5.0	4.5	DIP8	5	ask
STR5A164D			13.0	0.4	6.0	5.5	8.5	7.0			ask

■絶縁 2次側検出　フライバックタイプ

●STR4A100シリーズ

•無負荷時低消費電力（無負荷時入力電力 <10mW）
•小型化対応（過電流検出抵抗内蔵）
•1チップ構造（センスMOSFET内蔵）
•保護機能
　過電流保護（OCP）：パルス・バイ・パルス
　過負荷保護（OLP）、過電圧保護（OVP）、過熱保護（TSD）：自動復帰

製 品 名	fOSC （kHz）	MOSFET		IDLIM（H） （A）	Pout （アダプタ）		Pout （オープンフレーム）		パッケージ	外形図 No.	お問い合わせ
		VD/ST （max.） （V）	RDS（ON）（max.） （Ω）		AC230V （W）	ユニバーサル （W）	AC230V （W）	ユニバーサル （W）
STR4A162S	65	730	24.6	0.365	5.0	4.0	7.0	5.5	SOIC8	6	ask
STR4A162D					5.5	4.5	7.5	6.0	DIP8	5	ask
STR4A164D		730	12.9	0.520	8.0	6.0	10.0	8.5			ask
STR4A164HS	100	730	12.9	0.485	8.5	6.5	12.0	9.5	SOIC8	6	ask
STR4A164HD					9.0	7.0	13.0	10.5	DIP8	5	ask

●STR3A100シリーズ

•無負荷時低消費電力（無負荷時入力電力 <10mW） •高放熱パッケージ採用 •パワーMOSFET 内蔵 •保護機能 　過電流保護（OCP）：パルス・バイ・パルス 　過負荷保護（OLP）：自動復帰 　過電圧保護（OVP）、過熱保護（TSD）：ラッチ/自動復帰
製 品 名	fOSC （kHz）	MOSFET		Pout （オープンフレーム）		保護機能	パッケージ	外形図 No.	お問い合わせ
		VDSS（min.） （V）	RDS（ON）（max.） （Ω）	AC230V （W）	ユニバーサル （W）	過電圧保護（OVP） ／過熱保護（TSD）
STR3A151	67	650	4.0	24	16	ラッチ	DIP8	4	ask
STR3A152			3.0	30	23				ask
STR3A153			1.9	36	30				ask
STR3A154			1.4	40	32				ask
STR3A155			1.1	43	35				ask
STR3A151D	67	650	4.0	24	16	自動復帰			ask
STR3A152D			3.0	30	23				ask
STR3A153D			1.9	36	30				ask
STR3A154D			1.4	40	32				ask
STR3A155D			1.1	43	35				ask
STR3A161HD	100	700	4.2	26	17	自動復帰			ask
STR3A162HD			3.2	29	20				ask
STR3A163HD			2.2	35	29				ask

●STR-A6000シリーズ

•無負荷時低消費電力（無負荷時入力電力（無負荷時入力電力 <25mW）
•入力電圧の変動からICを保護（ブラウンイン・アウト機能）
•パワーMOSFET内蔵
•保護機能
　過電流保護（OCP）：パルス・バイ・パルス
　過負荷保護（OLP）：自動復帰
　過電圧保護（OVP）、過熱保護（TSD）：ラッチ

製 品 名	fOSC （kHz）	MOSFET		Pout （アダプタ）		Pout （オープンフレーム）		パッケージ	外形図 No.	お問い合わせ
		VDSS（min.） （V）	RDS（ON）（max.） （Ω）	AC230V （W）	ユニバーサル （W）	AC230V （W）	ユニバーサル （W）
STR-A6051M	67	650	3.95	20	16	30	21	DIP8	7	ask
STR-A6052M			2.8	23	19	35	25			ask
STR-A6053M			1.9	26	22	41	29			ask
STR-A6079M		800	19.2	8	6	13	9			ask
STR-A6059H	100	650	6	17	11	30	19			ask
STR-A6069H		700	6	17	11	30	19			ask
STR-A6061H			3.95	21	15	35	24			ask
STR-A6062H			2.8	23	18	38	26			ask
STR-A6069HD＊	100	700	6	17	11	30	19			ask
STR-A6061HD＊			3.95	21	15	35	24			ask
STR-A6062HD＊			2.8	23	18	38	26			ask
STR-A6063HD＊			2.3	25	20	40	27			ask
STR-A6151		650	3.95			15	13			ask
＊通常の過電流保護に加え、出力巻線の短絡時などに動作する過電流保護を追加しています。この過電流保護はリーディング・エッジ・ブランキング期間中にも動作します。

●STR-V600シリーズ

•低背パッケージ（高さ≦12mm、ピン間距離＝2.54mm）
•高信頼性（十分な沿面距離：基板リード端子部の高圧─低圧間縁面距離4mm以上）
•無負荷時低消費電力（無負荷時入力電力 <25mW）
•入力電圧の変動からICを保護（ブラウンイン・アウト機能）
•パワーMOSFET内蔵
•保護機能
　過電流保護（OCP）：パルス・バイ・パルス
　過負荷保護（OLP）：自動復帰
　過電圧保護（OVP）、過熱保護（TSD）：ラッチ

製 品 名	fOSC （kHz）	MOSFET		Pout （オープンフレーム）		パッケージ	外形図 No.	お問い合わせ
		VDSS（min.） （V）	RDS（ON）（max.） （Ω）	AC230V （W）	ユニバーサル （W）
STR-V653	67	650	1.9	30	23	SIP	8	ask

●STR2W100Dシリーズ

•無負荷時低消費電力（無負荷時入力電力 <25mW）
•パワー MOSFET内蔵
•保護機能
　過電流保護（OCP）：パルス・バイ・パルス
　過負荷保護（OLP）、過電圧保護（OVP）、過熱保護（TSD）：自動復帰

製 品 名	fOSC （kHz）	MOSFET		Pout （オープンフレーム）		パッケージ	外形図 No.	お問い合わせ
		VDSS（min.） （V）	RDS（ON）（max.） （Ω）	AC230V （W）	ユニバーサル （W）
STR2W152D	67	650	3	60	40	TO220F-6	9	ask
STR2W153D			1.9	90	60			ask

●STR-W6000Sシリーズ

•無負荷時低消費電力（無負荷時入力電力 <30mW）
•入力電圧の変動からICを保護（ブラウンイン・アウト機能）
•パワーMOSFET内蔵
•保護機能
　過電流保護（OCP）：パルス・バイ・パルス
　過負荷保護（OLP）、過電圧保護（OVP）、過熱保護（TSD）：自動復帰

製 品 名	fOSC （kHz）	MOSFET		Pout （オープンフレーム）		パッケージ	外形図 No.	お問い合わせ
		VDSS（min.） （V）	RDS（ON）（max.） （Ω）	AC230V （W）	ユニバーサル （W）
STR-W6051S	67	650	3.95	45	30	TO220F-6	9	ask
STR-W6052S			2.8	60	40			ask
STR-W6053S			1.9	90	60			ask
STR-W6072S		800	3.6	50	32			ask

◆ PRC(Pulse Ratio Control)方式 ◆

　　オフ時間が固定のON時間制御方式です。
　　低ノイズで、小～中電力用途に適しています。

●STR-V100シリーズ

•低背パッケージ（高さ≦12mm、ピン間距離＝2.54mm）
•高信頼性（十分な沿面距離：基板リード端子部の高圧─低圧間縁面距離4mm以上）
•パワーMOSFET内蔵
•保護機能
　過電流保護（OCP）：パルス・バイ・パルス
　過電圧保護（OVP）、過熱保護（TSD）：自動復帰

製 品 名	MOSFET			Pout （オープンフレーム）		オートバイアス	パッケージ	外形図 No.	お問い合わせ
	VDSS（min.） （V）	RDS（ON)（max.） （Ω）	t（OFF） （μs）	AC220V （W）	ユニバーサル （W）
STR-V152	650	2.8	8	22	17	有	SIP8	10	ask
STR-V153		2	11.5	30	23	無			ask

◆ 擬似共振(Quasi-Resonant: QR)方式 ◆

　　ボトムオンスイッチングにより、低ノイズな制御方式です。
　　小～中電力の用途に適しています。

●STR-Y6700シリーズ

•マルチモード制御により、全負荷領域高効率（擬似共振動作～1ボトムスキップ擬似共振動作～バースト動作） •無負荷時低消費電力（無負荷時消費電力〈30mW@AC100V、50mW@AC230V） •パワーMOSFET内蔵 •保護機能 　過電流保護（OCP）：パルス・バイ・パルス 　過負荷保護（OLP）、過電圧保護（OVP）、過熱保護（TSD）：ラッチ
製 品 名	MOSFET		Pout （オープンフレーム）		パッケージ	外形図 No.	お問い合わせ
	VDSS（min.） （V）	RDS（ON）（max.） （Ω）	DC380V （W）	ユニバーサル （W）
STR-Y6735＊	500	0.8	120 (AC100V)	-	TO220F-7	11	ask
STR-Y6753＊	650	1.9	100	60			ask
STR-Y6754＊		1.4	120	67			ask
STR-Y6763＊	800	3.5	80	50			ask
STR-Y6765＊		2.2	120	70			ask
STR-Y6766＊		1.7	140	80			ask
STR-Y6735A	500	0.8	120 (AC100V)	-			ask
STR-Y6763A	800	3.5	80	50			ask
STR-Y6766A		1.7	140	80			ask
＊通常のパルス・バイ・パルスの過電流保護に加え、出力巻線の短絡時などにラッチ動作で停止する過電流保護を追加しています。この過電流保護はリーディング・エッジ・ブランキング期間中に も動作します。

●STR-L6400シリーズ

•低背パッケージ（高さ≦12mm、ピン間距離＝2.54mm）
•高信頼性（十分な沿面距離：基板リード端子部の高圧─低圧間縁面距離4mm以上）
•マルチモード制御により、全負荷領域高効率（擬似共振動作～1ボトムスキップ擬似共振動作～バースト動作）
•外部信号ON/OFF機能
•パワーMOSFET内蔵
•保護機能
　過電流保護（OCP）：パルス・バイ・パルス
　過負荷保護（OLP）、過電圧保護（OVP）、過熱保護（TSD）：ラッチ

製 品 名	MOSFET		Pout （オープンフレーム）		パッケージ	外形図 No	お問い合わせ
	VDSS（min.） （V）	RDS（ON）（max.） （Ω）	AC100V （W）	ユニバーサル （W）
STR-L6472	850	6.5	15	25	SIP10	13	ask

●STR-W6700シリーズ

•マルチモード制御により、全負荷領域高効率（擬似共振動作～1ボトムスキップ擬似共振動作～バースト動作）
•多様な起動シーケンスに対応可能（起動抵抗外付け）
•パワーMOSFET内蔵
•保護機能
　過電流保護（OCP）：パルス・バイ・パルス
　過負荷保護（OLP）、過電圧保護（OVP）：ラッチ

製 品 名	オートバースト	ワンボトムスキップ	お問い合わせ		
STR-W67xx	有	有	ask		
STR-W67xxN	無	有	ask		
STR-W6750F	有	無	ask		

製 品 名	MOSFET		パッケージ	外形図 No.	お問い合わせ
	VDSS（min.） （V）	RDS（ON）（max.） （Ω）
STR-W6723N	450	1.4	TO220F-6	9	ask
STR-W6734	500	1			ask
STR-W6735		0.57			ask
STR-W6735N					ask
STR-W6753	650	1.7			ask
STR-W6754		0.96			ask
STR-W6756		0.73			ask
STR-W6756N					ask
STR-W6750F					ask
STR-W6765	800	1.8			ask
STR-W6765N					ask

●STR-X6700シリーズ

•マルチモード制御により、全負荷領域高効率（擬似共振動作～1ボトムスキップ擬似共振動作～バースト動作）
•多様な起動シーケンスに対応可能（起動抵抗外付け）
•パワーMOSFET内蔵
•保護機能
　過電流保護（OCP）：パルス・バイ・パルス
　過負荷保護（OLP）：ラッチ
　過電圧保護（OVP）：ラッチ

製 品 名	オートバースト	ワンボトムスキップ
STR-X6729	無	無
STR-X67xxB
STR-X67xxN	無	有
STR-X67xxM
STR-X67xx	有	有
STR-X67xxF	有	無

製 品 名	MOSFET		Pout （オープンフレーム）			ユニバーサル （W）	パッケージ	外形図 No.	お問い合わせ
	VDSS（min.） （V）	RDS（ON）（max.） （Ω）	AC100V （W）	AC120V （W）	AC230V （W )
STR-X6729	450	0.189	280	360	-	-	TO3PF-7	15	ask
STR-X6737	500	0.36	220	290	-	-			ask
STR-X6737M					-	-			ask
STR-X6759N	650	0.385	210	280	-	-			ask
STR-X6759B									ask
STR-X6759F									ask
STR-X6757		0.62	-	-	320	210			ask
STR-X6757N			-	-					ask
STR-X6750B		0.62	-	-	320	210			ask
STR-X6750F			-	-					ask
STR-X6756		0.73	-	-	300	180			ask
STR-X6769	800	0.66	-	-	310	200			ask
STR-X6769B			-	-					ask
STR-X6768N		1.0	-	-	200	130			ask